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O jornal (repórter Zhang correu) presumivelmente todo mundo encontrou uma repentina interrupção de energia do computador porque os dados não foram salvos a tempo; ou porque o telefone celular é muito curto, é inexplicável ... Espera -se que esses embaraçosos evitem .O repórter aprendeu há alguns dias que Zhao Weisheng, professor da Escola de Engenharia de Informações Eletrônicas, Universidade de Aeronautics e Astronautics de Pequim, e Zhao Chao, pesquisador do Centro de Pesquisa de Circuito Integrado do Instituto de Microeletrônica, o Instituto de Microelectronics da Academia Chinesa de Ciências. loteria salteña

A memória é uma parte importante do sistema eletrônico.Atualmente, a maioria dos sistemas eletrônicos adota a arquitetura de armazenamento de armazenamento e memória principal e discos rígidos.Da mesma forma, a memória aleatória estática (SRAM), a memória aleatória dinâmica (DRAM), a memória flash (flash) ou o disco rígido (HDD) se tornam tecnologias de armazenamento tradicionais que realizam esses três sistemas de armazenamento.Em um computador, a memória aleatória estática corresponde à memória na CPU, que é caracterizada por velocidade rápida, mas a capacidade é pequena; O disco rígido de estado sólido no computador ou um disco rígido mecânico, caracterizado por velocidade lenta, mas uma grande capacidade.Os dois primeiros pertencem à memória Easy -to -Loss, e os dados de energia serão perdidos.O último não está perdido.Nos métodos tradicionais de armazenamento, os dados precisam ser armazenados nas notas e devem ser recuperados na aula quando são usados ​​no mesmo uso.

Com o rápido desenvolvimento de informações e tecnologia de processamento de nano, o sistema eletrônico construído com base no sistema de armazenamento tradicional está enfrentando enormes desafios.Por um lado, a computação móvel emergente, a computação em nuvem e outros grandes centers apresentam requisitos extremamente altos para os dados.Portanto, os dados devem ser mantidos backup no flash ou no disco rígido.

(Vire a segunda edição abaixo)

(Potten a primeira edição)

Além disso, o consumo de energia de grandes data centers continuou a subir, e a Internet das Coisas e os dispositivos móveis com base na tecnologia de bateria também é criticada pelo consumo de energia.No consumo de energia em espera do telefone celular, o armazenamento é uma "grande família".É precisamente porque os dados precisam ser armazenados e recuperados nas notas, e a velocidade é lenta. Power -Off Data serão perdidos loteria salteña

Para alterar isso, é necessária uma nova geração de dispositivos de armazenamento.Memória aleatória-magnética de torque auto-roente (STT-MRAM) é uma solução de memória nova de próxima geração próxima aos requisitos de "memória universal".Como seus dados são armazenados no estado magnético, o STT-MRAM possui resistência à radiação natural, alta confiabilidade e número quase infinito de leituras e tempos de escrita. perspectivas. loteria salteña

Atualmente, os Estados Unidos, o Japão e a Coréia do Sul fizeram avanços em tecnologias relacionadas, e é provável que, após o disco rígido, DRAM e Flash e outros chips de armazenamento, tenha mais uma vez alcançado 100%de monopólio em meu país. loteria salteña

Considerando que o STT-MRAM usa uma grande quantidade de novos materiais, novas estruturas e novos processos, é muito difícil preparar o processamento. e as empresas.Com o forte apoio da Comissão de Ciência e Tecnologia de Pequim, a equipe conjunta de P&D da Universidade de Aeronáutica e Astronaáutica de Pequim e o Instituto de Microeletrônicas da Academia Chinesa de Ciências alcançou importantes avanços na equipe de pesquisa e desenvolvimento da STT -MRAM Tecnologia do processo de "Memória Universal" da Nano tem um bom desempenho do dispositivo, e os parâmetros -chave relevantes atingiram o nível líder internacional.Espera -se que essa tecnologia seja aplicada a grandes centers, que é usada para reduzir o consumo de energia.